HSEM系列电磁铁霍尔效应测试系统由电磁铁组成, 霍尔测试仪, 控制器, 样品温度选项和其他组件. 根据选择不同的配置可实现±1.5T磁场，10K样品温度，1273K样品温度等性能. 它具有磁场范围大、温区宽的特点. 它可以满足用户对电阻率的测量, 载体浓度, 载体类型, 霍尔系数, 材料在不同温度或不同磁场下的电子迁移率等参数.

特点:
-具有连续可变磁场环境，可选择±0.8T或±1.5T两种配置
-广泛的温度选择, 包括:室温, 液氮单点, 10K-400K闭循环低温选项, 室温- 1273k高温选项.
—移动范围:0.01-10^6
-可测样品电阻范围:10mΩ-100GΩ
-载流子浓度:8 × 102 ~ 8 × 1023 cm-3
—室温屏蔽箱为样品提供室温测试环境. 提供多种常温样品卡，满足各种规格样品的霍尔检测.
-低温恒温器和室温屏蔽箱可通过滑动片快速切换, 哪一种能快速切换样品或改变样品环境，提高换样效率.

测试材料:
-热电材料:碲化铋、碲化铅、硅锗合金等.
-光伏材料/太阳能电池:单晶硅, 非晶硅(铜铟镓硒), 碲化镉, 硫族化物, 等.)
-有机材料:(OFET, OLED)
-透明导电金属氧化物TCO: ITO, AZO, ZnOIGZO(铟镓氧化锌)等.)
-半导体材料:SiGe, InAs, SiC, InGaAs, GaN, SiC, InP, ZnO, Ga2O3等.
-二维材料:石墨烯、BN、MoS2